세계 주요 D램 메모리 반도체 업계들이 현재 주력하고 있는 40~50나노 공정에서 30나노 공정으로 전환하기 위해 안간힘을 쓰고 있다.

최근 들어 미세공정 전환에서 국내 업체들에 한 수 뒤지는 것으로 평가받던 일본의 엘피다가 30나노급 이하 공정에서 역전의 가능성도 보이고 있어 판도 변화에 관심이 모아진다.

삼성전자는 30나노급 4Gb(기가비트) DDR3 D램 기반의 32GB(기가바이트) DDR3 서버용 모듈 양산을 시작했다고 31일 밝혔다. 이 모듈은 기존 40나노급 제품과 비교해 데이터 처리 속도가 40% 빠르고 소비 전력도 18%가량 절감된다. 이로써 삼성전자는 서버용 모듈과 함께 노트북용 8GB DDR3 모듈도 양산하면서 지난 4월부터 공급을 시작한 16GB 모듈을 합쳐 ‘그린 DDR3 제품 라인업’을 완성했다.

삼성전자는 30나노급 D램을 바탕으로 4GB 이상의 대용량 제품 비중을 늘려가는 한편, 하반기에는 소비전력을 크게 낮춘 20나노급 4GB D램도 출시할 계획이다.

●엘피다 앞설 땐 업계 판도 바뀌어

삼성전자는 반도체 업체들의 ‘30나노 공정 경쟁’에서 가장 앞선 것으로 평가받는다.

반도체 시장조사업체인 ‘D램익스체인지’에 따르면 현재 30나노급 이하 미세공정 전환에 가장 적극적인 곳은 삼성전자와 하이닉스, 엘피다 등이다. 이 가운데 삼성은 올해 말까지 30나노급 비중을 50%까지 늘려 경쟁업체들과 근본적으로 차별화된 경쟁력을 구축할 계획이다.

하이닉스도 최근 30나노급 D램 제품을 내놓기 시작하는 등 미세 공정 도입에 박차를 가해 늦어도 올해 말까지는 40% 수준으로 끌어올리겠다는 생각이다. 다만 삼성전자보다 5개월가량 늦게 30나노 경쟁에 뛰어든 만큼 삼성보다는 시간이 필요할 것으로 보인다. 30나노 공정 전환에 워낙 어려운 기술을 요구하다보니 1년 가까이 30나노급 전환 공정을 매진하고 있는 삼성전자도 아직까지 생산 비중을 크게 늘리지 못하고 있는 상황이다.

최근 20나노 공정을 개발했다고 밝힌 엘피다의 경우 조만간 30나노급 제품 양산에 들어가 연말까지 전체 생산량의 50%까지 확대한다는 목표를 세웠다. 만약 엘피다가 목표대로 30나노 공정 확대에 성공할 경우 세계 반도체 시장의 판도는 크게 바뀔 수 있다.

●10나노 단축시 생산 60% 늘어

하지만 지난해 엘피다는 “50나노급 공정을 거치지 않고 60나노급에서 곧바로 40나노급 공정을 개발해 D램 양산에 들어갔다.”고 발표했지만, 현재 엘피다의 40나노급 D램이 시장에서 거래되는 사례는 거의 없다. 때문에 30나노 공정에 대한 엘피다의 목표 역시 자금조달을 유리하게 이끌어 현재 겪고 있는 재무적 어려움을 타개하려는 ‘허장성세’일 가능성이 크다.

업체들이 이처럼 초고난도 기술인 30나노 공정에 매진하는 것은 최근 이어지는 반도체 가격하락 추세에서 감산이라는 소극적 대응보다는 공정 혁신을 통해 원가 경쟁력을 높이는 ‘창조적 파괴’에 나서기 때문이다.

통상 반도체의 경우 폭을 10나노(1나노미터는 10억분의1m) 단축하면 웨이퍼 한 장당 반도체 생산량이 50~60% 늘어나고, 전력 소비는 30~40% 줄어들게 된다. 30나노 공정을 확대할 경우 지난해 초부터 시작된 반도체 시장의 치킨게임에서 ‘종결자’(최후의 승리자)가 될 수 있다는 게 업계의 중론이다.

류지영기자 superryu@seoul.co.kr