中 반도체 기술 한계 ‘14㎚’ 설정
美 주도 시스템반도체 보호용
국내 기업에 영향 크지 않을 듯

미일, 중러 견제 첫 ‘2+2’ 회의
외교·상무, 반도체 공급망 합의

미국과 중국의 ‘반도체 전쟁’이 갈수록 격화하는 가운데 워싱턴이 베이징의 ‘초미세 반도체 굴기’를 원천 차단하고자 초강수를 뒀다. 반도체 제조 장비에 대한 수출 통제 기준을 기존 10나노미터(㎚·10억분의1ｍ)에서 14㎚로 끌어올렸고, ‘중국과 분리된 첨단 반도체 공급망’을 만들고자 일본 정부와 손잡고 ‘경제판 2+2’ 대화도 발족했다.

30일(현지시간) 블룸버그통신은 “최근 미 상무부가 자국 내 반도체 장비업체들에 ‘14㎚ 공정보다 미세한 제조기술을 적용한 장비를 중국에 수출하지 말라’는 공문을 보냈다”고 전했다. 미국의 장비 없이는 어느 나라도 반도체 양산이 불가능하다는 점을 감안하면 사실상 이번 조치는 워싱턴이 중국의 반도체 기술 성장의 한계를 ‘14㎚’로 못박은 것으로 볼 수 있다.

반도체는 회로의 선폭이 가늘수록 성능이 좋아진다. 이 때문에 삼성전자와 TSMC 등 선두 업체들은 3㎚ 이하 초미세 공정 개발에 사활을 걸고 있다. 앞서 미 상무부는 2020년 12월 중국의 반도체 기업 중신궈지(SMIC)에 10㎚ 이하의 장비를 도입하지 못하게 막았다. 이를 비웃듯 SMIC가 지난해 7월부터 7㎚ 반도체를 시험 생산하고 있다는 사실이 확인됐다. 반도체 제재 ‘구멍’을 확인한 조 바이든 미 행정부가 ‘중국 반도체 마지노선’을 14㎚로 더욱 조인 것이다.

블룸버그는 “이번 조치로 중국 내 반도체 기업 상당수가 영향을 받게 될 것”으로 내다봤다. 중국에서 반도체 공장을 운영하는 삼성전자와 SK하이닉스도 촉각을 곤두세우고 있다. 다만 이번 규제로 인해 당장 국내 기업에 미칠 영향은 크지 않을 것이라는 전망이 나온다. 업계 관계자는 “반도체 산업에서 ㎚ 단위 공정을 언급하는 것은 통상 시스템반도체 분야”라며 “(한국이 시장을 지배하는 메모리 반도체가 아니라) 미국이 주도하는 시스템반도체 보호를 위해 견제에 나선 것으로 보인다”고 전했다.

워싱턴은 일본과도 ‘중국 협공’ 수위를 높였다. 지난 30일 니혼게이자이신문은 “중국과 러시아를 견제하고자 29일 워싱턴DC에서 첫 외교·경제 장관(경제판 2+2) 회의를 열었다”고 보도했다. 미국 측에서는 토니 블링컨 국무장관과 지나 러몬도 상무장관, 일본 측에서는 하야시 요시마사 외무상과 하기우다 고이치 경제산업상이 참석했다. 양국은 공동성명에서 “인도태평양경제프레임워크(IPEF)를 포함한 혁신적 방식으로 인도·태평양 지역의 발전과 번영을 증진할 것”이라고 밝혔다. 이에 따라 일본 정부는 올해 안에 차세대 반도체 개발을 위한 공동 연구센터를 설립해 2025년에 2㎚ 반도체를 양산한다는 목표를 세웠다고 매체는 덧붙였다.